NANDblock

2011年5月4日—NandFlash在出廠時會經過比較嚴格的測試，以便找出潛在的badblock。出廠時，badblock會被標記在block的的sparearea。(InitialInvalidBlock),2020年10月30日—一个Device有若干个Die(或者叫LUN)，每个Die有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page，每个Page对应着一个Wordline。,ModernNANDflashmayhaveeraseblocksizebetween1MiBto128MiB.Whilereadingandprogrammingisperformedonapagebasis...

參考資訊如下
NAND flash的特性

2011年5月4日 — Nand Flash 在出廠時會經過比較嚴格的測試，以便找出潛在的bad block。 出廠時，bad block會被標記在block的 的spare area。 (Initial Invalid Block)

Nand Flash入门基本概念原创

2020年10月30日 — 一个Device有若干个Die(或者叫LUN)，每个Die有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page，每个Page对应着一个Wordline。

Flash memory

Modern NAND flash may have erase block size between 1 MiB to 128 MiB. While reading and programming is performed on a page basis, erasure can only be performed ...

Nand flash - 開發日記...

2015年8月11日 — Nand flash · Page · Spare · OOB (out of boundary) · Small/Large · Block · Read/Write operation · Life cycle · Bad blcok.

壞塊管理(Bad Block Management)

出廠壞塊（Factory Original Bad Block）. 由晶圓經過檢測、切割、封裝等眾多流程才會封裝成NAND Flash顆粒(NAND Flash晶片)；在這過程中，NAND Flash顆粒裡面可能會 ...

TN-29-19

由 N Flash 著作 — The NAND Flash array is grouped into a series of blocks, which are the smallest erasable entities in a NAND Flash device. A NAND Flash block is 128KB. Erasing a ...

Bad Block Management in NAND Flash Memory

This document explains how to recognize factory-generated bad blocks to manage bad blocks that develop during the lifetime of NAND Flash memory. It covers all ...

TN-29-07: Small-Block vs. Large

Small-block NAND Flash devices contain blocks made up of 32 pages, where each page contains 512 data bytes + 16 spare bytes. Large-block NAND Flash devices ...

Nandflash 存在壞塊，壞掉了嗎?

2021年3月22日 — 一般來說在出廠時Nandn Flash即可能會有壞塊存在。這是規格定義。 壞塊的分佈有連續性或隨機散落在不同位址但數量會限制在Nand flash Block 總數的 ...